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合肥長鑫計劃年底量產(chǎn)8Gb DDR4內(nèi)存

編輯：jiayuan 2019-06-12 16:34:36 來源于：快科技

　　6月12日消息和福建晉華一樣，合肥長鑫（ChangXin Memory Technologies）也是一家專注于DRAM內(nèi)存研發(fā)的中國企業(yè)！而據(jù)最新消息顯示，合肥長鑫計劃在2019年年底量產(chǎn)首款內(nèi)存芯片，且該芯片采用的正是8GB LPDDR4顆粒。

　　報道稱，合肥長鑫預(yù)計其Q4季度產(chǎn)能約為2萬片晶圓/月，但產(chǎn)能最終會擴(kuò)大到12.5萬片晶圓/月。

　　從合肥長鑫此前的公告來看，其首批8Gb LPDDR4內(nèi)存應(yīng)該是19nm工藝的，預(yù)計在2020年建設(shè)第二座晶圓廠，將使用20nm以下的工藝生產(chǎn)內(nèi)存，該公司計劃在2021年量產(chǎn)17nm工藝的內(nèi)存芯片！另外，還有消息稱，合肥長鑫的內(nèi)存技術(shù)主要源于破產(chǎn)的奇夢達(dá)公司所有的一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)，這也是合肥長鑫最初的技術(shù)來源之一。