紫光打造出我國(guó)首個(gè)自主PC DDR4內(nèi)存？真相竟然是這樣

　　12月27日消息 近日有媒體援引消息人士爆料稱，紫光已經(jīng)成功打造出我國(guó)第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條，其單條容量為4GB！但據(jù)最新消息顯示，該爆料不僅是個(gè)舊聞，而且紫光實(shí)際上至今都沒(méi)有生產(chǎn)DDR4內(nèi)存的能力。這究竟是怎么回事呢？

　　據(jù)悉，前些天有網(wǎng)友貼出了一款之前沒(méi)見(jiàn)過(guò)的內(nèi)存——這是一條看似尋常的綠色PCB無(wú)馬甲內(nèi)存條，容量4GB，怎么看都沒(méi)什么特別的，不過(guò)上面的logo是Unilc，這是紫光國(guó)芯公司的logo，而紫光國(guó)芯是紫光集團(tuán)的控股子公司，旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬?guó)芯、深圳國(guó)微、紫光同創(chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，“紫光國(guó)芯是紫光集團(tuán)旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司，專注于集成電路芯片設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，堅(jiān)持穩(wěn)健經(jīng)營(yíng)、持續(xù)創(chuàng)新、開(kāi)放合作，是目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的集成電路芯片設(shè)計(jì)和系統(tǒng)集成解決方案供應(yīng)商。”，所以這張照片很快在網(wǎng)絡(luò)上得到傳播，成為紫光成功造出DDR4內(nèi)存芯片的證據(jù)，更有媒體、自媒體宣稱這是國(guó)內(nèi)首條自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存。

　　如果國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存研發(fā)成功，這無(wú)疑是一件大好事，不過(guò)這則爆料沒(méi)傳幾天就被戳破了謊言——首先這個(gè)并不是DDR4內(nèi)存，而是4GB DDR3內(nèi)存，上面略顯模糊的標(biāo)記如PC3-12800正是DDR3-1600內(nèi)存頻率，CL11-11-11的時(shí)序也符合DDR3-1600標(biāo)準(zhǔn)。其次，就算是DDR3內(nèi)存，這實(shí)際上也不是紫光的技術(shù)，西安紫光國(guó)芯公司最初是英飛凌科技2003年在西安設(shè)立的存儲(chǔ)事業(yè)部，2006年英飛凌拆分了存儲(chǔ)事業(yè)部成立奇夢(mèng)達(dá)公司，西安的奇夢(mèng)達(dá)公司也獨(dú)立運(yùn)營(yíng)，2009年被國(guó)內(nèi)的浪潮集團(tuán)收購(gòu)，公司改建為西安華芯公司，2015年紫光國(guó)芯收購(gòu)了西安華芯，成立了現(xiàn)在的西安紫光國(guó)芯公司。

　　所以說(shuō)，這條內(nèi)存條實(shí)際上是早前英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)時(shí)代的產(chǎn)物，紫光及紫光國(guó)芯目前并沒(méi)有生產(chǎn)DDR4內(nèi)存的能力和技術(shù)。在紫光公司的規(guī)劃中，他們這兩年最重要的任務(wù)是武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技，主要產(chǎn)品是3D NAND閃存而非DRAM內(nèi)存，畢竟長(zhǎng)江存儲(chǔ)的前身武漢新芯科技早前跟飛索半導(dǎo)體合作過(guò)NAND閃存，還是有一些閃存技術(shù)積累的，而DRAM內(nèi)存就基本上是一篇空白了。

　　當(dāng)然，國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體公司如今也在為進(jìn)軍DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)做準(zhǔn)備，紫光集團(tuán)武漢基地的二期規(guī)劃就是DRAM內(nèi)存工廠，而諸如合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華等相關(guān)領(lǐng)域的知名企業(yè)如今也在主攻DRAM內(nèi)存技術(shù)。不過(guò)，由于DRAM內(nèi)存顆粒要比NAND閃存難度更高，這個(gè)準(zhǔn)備的過(guò)程可能需要很長(zhǎng)一段時(shí)間。