外媒：Intel的10nm工藝領(lǐng)先三星/臺(tái)積電好多年

　　據(jù)外媒報(bào)道，英特爾（Intel）日前宣布將在2017年推出采用其最新的10納米芯片制程技術(shù)的全新處理器。此消息一出引起一片嘩然！更有分析人士指出：雖然許多廠商都推出了10納米技術(shù)，但其標(biāo)準(zhǔn)并未統(tǒng)一，而英特爾在這一領(lǐng)域依舊領(lǐng)先它們?cè)S多年。

　　報(bào)道稱，英特爾同時(shí)指出，屆時(shí)采該制程生產(chǎn)的電晶體成本將比以往還低，代表摩爾定律精神不僅將延續(xù)，也駁斥電晶體制造成本已來(lái)到最低的說(shuō)法。

　　展望來(lái)年，英特爾并計(jì)劃在電晶體設(shè)計(jì)上繼續(xù)精進(jìn)，而且首度讓自家制程技術(shù)最大化以便符合其他公司需求，可利用英特爾設(shè)備生產(chǎn)采安謀（ARM）架構(gòu)的芯片。

　　英特爾院士Mark Bohr指出，雖然目前芯片制程世代或節(jié)點(diǎn)名稱說(shuō)法與芯片上的功能多有脫勾，但該公司10納米世代所能達(dá)到的密度，將比目前14納米芯片甚至其他業(yè)者的10納米產(chǎn)品還要高。

　　該公司日前也公布多項(xiàng)新世代制程數(shù)據(jù)，包括負(fù)責(zé)開(kāi)關(guān)的電晶體閘極長(zhǎng)度以及閘極間距（gate pitch）都會(huì)更小，最小的閘極間距將由70納米變成54納米，執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能的邏輯單元尺寸也會(huì)比目前采用14納米技術(shù)的小46%。

　　Bohr也指出，這已是較往年更為大膽的微縮程度，也一反日前新芯片制程世代出現(xiàn)時(shí)間變慢的發(fā)展趨勢(shì)。

　　英特爾指出，即使生產(chǎn)10納米晶圓的成本會(huì)比14納米高，但每顆電晶體生產(chǎn)成本會(huì)較低，而且在切換速度與功耗上都可獲得提升。因此，Bohr表示，在尺寸與效率上改善后，將可望讓服務(wù)器芯片增加更多核心以及在GPU增加執(zhí)行單元。

　　過(guò)去英特爾每2年都會(huì)推出新的制程世代來(lái)升級(jí)電晶體，但在14納米，該公司推出被稱為半節(jié)點(diǎn)（deminode）世代，也就是在10納米之前只針對(duì)14納米做出改善，而且在10納米后，預(yù)計(jì)在進(jìn)展至下一個(gè)7納米世代之前，也先推出2個(gè)半節(jié)點(diǎn)10nm+與10nm++。

　　目前三星電子（Samsung Electronics）與臺(tái)積電也在生產(chǎn)10納米芯片，2016年10月三星更宣布已率先量產(chǎn)，采用該芯片的裝置預(yù)計(jì)在2017年初上市，GlobalFoundries則傾向在2018年開(kāi)始一舉進(jìn)入7納米。

　　對(duì)此，分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的VLSI Research機(jī)構(gòu)執(zhí)行長(zhǎng)Dan Hutcheson指出，目前各廠都在積極突破微縮的極限而且都取得進(jìn)展，但彼此標(biāo)準(zhǔn)并未統(tǒng)一，若以10納米產(chǎn)品比較，英特爾在特征尺寸上仍有多年領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

　　除此之外，Hutcheson也指出，英特爾透過(guò)控制與一致化其自家制程而與其他廠商有所區(qū)隔，也幫助其在發(fā)展代工服務(wù)上具備優(yōu)勢(shì)。至于為其他公司代工芯片也是英特爾新作法之一，而且具備生產(chǎn)ARM處理器的能力后，對(duì)該公司來(lái)說(shuō)更是重要。

　　此前英特爾也曾表明了相似的態(tài)度，據(jù)悉其首款10納米芯片將優(yōu)先在自家的處理器上采用，并將在2018年之后向其他的廠商開(kāi)放。