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外媒：NAND閃存或?qū)屜扔蒙螴ntel 10nm工藝

編輯：jiayuan 2017-09-27 15:19:27 來源于：IT之家

　　9月27日消息 Intel前些天首次公開展示了自家最新的10nm制程工藝，并表示將在今年開始量產(chǎn)基于該工藝的Cannon Lake處理器！而據(jù)外媒最新消息顯示，被Intel寄予厚望的10nm制程工藝或?qū)屜扔迷贜AND閃存上。這究竟是怎么回事呢？

　　報道稱，Intel計劃在自家最新的64層NAND閃存上使用最新的10nm制程工藝，至于為什么率先使用10nm工藝，業(yè)界認為相比較于CPU，NAND結(jié)構(gòu)相對簡單，基本上就是海量同類晶體管堆積。

　　此外，前些天還有外媒放出消息稱，由于Intel的10nm制程工藝出現(xiàn)了一些問題，代號為“Cannon Lake”的第一代10nm芯片要延遲到2018年年底才有望正式發(fā)布！對此，Intel方面顯然并不認同這一報道，并表示，“Intel 10nm在2017年第四季度就可以實現(xiàn)投產(chǎn)。”那么，小伙伴們又如何看待此事呢？