三星宣布開始量產(chǎn)全球首款512GB eUFS閃存

　　12月5日消息 繼前些天宣布開始量產(chǎn)采用第二代10nm FinFET工藝技術(shù)（10nm LPP）的SOC芯片后，三星電子今天又公布了一個震驚業(yè)界的“喜訊”——全球首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS）目前也進入了量產(chǎn)階段！這究竟是怎么回事呢？

　　據(jù)介紹，三星512GB eUFS將用于下一代移動設(shè)備，該產(chǎn)品采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。

　　為了最大限度發(fā)揮512GB eUFS的性能和能源效率，三星推出了一套新的獨家技術(shù)。三星512GB eUFS控制器采用64層512Gb V-NAND先進的電路設(shè)計和新的電源管理技術(shù)，將能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了將邏輯塊地址轉(zhuǎn)換為物理塊地址的映射過程。

　　三星512GB eUFS讀寫性能也非常強大。512GB嵌入式存儲器的順序讀寫速度分別達到860MB/s和255MB/s，能夠在6秒內(nèi)將5GB的全高清視頻片段傳輸?shù)絊SD，相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。

　　對于隨機操作，三星512GB eUFS可以讀取42，000 IOPS并寫入40，000 IOPS。基于eUFS的快速隨機寫入，比傳統(tǒng)micro SD卡的100 IOPS速度快大約400倍，移動用戶可以享受無縫的多媒體體驗，如高分辨率連拍，以及雙重文件搜索和視頻下載應(yīng)用程序查看模式。

　　此外，三星還計劃穩(wěn)步增加其64層512Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量，并擴大256Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量，以滿足高級嵌入式移動存儲以及高密度、高性能的高級固態(tài)硬盤和可移動存儲卡的需求。

　　也就是說，明年的頂配旗艦手機產(chǎn)品的閃存極有可能會達到512GB。不過，網(wǎng)友們對此的態(tài)度卻截然相反，反對者認為“128都用不了，512要那么大到底有什么用呢”；而支持者則表示，“你不用，不代表科技不前進啊”！那么小伙伴們又如何看待此事呢？