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三星、臺積電遭碾壓!Intel公布自家10nm制程參數(shù)

編輯:jiayuan 2017-09-19 11:08:07 來源于:IT之家

  9月19日消息 此前有報(bào)道稱,Intel今天在北京召開了Intel尖端制造大會并首次公開展出了自家基于最新10nm工藝制程的晶圓!而據(jù)最新消息顯示,Intel還在大會現(xiàn)場詳細(xì)介紹了自家的10nm工藝制程,并與友商臺積電和三星進(jìn)行了對比。

三星、臺積電遭碾壓!Intel公布自家10nm制程參數(shù)

  Intel高級院士,制程架構(gòu)總監(jiān)Mark T.Bohr放出了Intel的10nm工藝制程與友商三星以及臺積電的對比?梢钥吹絀ntel的10nm工藝制程在鰭片間距以及柵極間距均低于三星和天幾點(diǎn),而最小金屬間距更是大幅領(lǐng)先于友商,從而在最終的邏輯晶體管密度參數(shù)上面,Intel的10nm工藝制程能夠達(dá)到每平方毫米1億晶體管,而臺積電為4800萬,三星為5160萬,也就是說Intel的10nm工藝制程晶體管密度是臺積電的2倍還多。

  此外,Intel方面還表示,盡管友商的工藝制程在今年進(jìn)入了10nm工藝制程,但是按照邏輯晶體管的實(shí)際面積計(jì)算的話,僅與Intel的14nm工藝制程相當(dāng)。也就是說從邏輯晶體管來看,Intel實(shí)際領(lǐng)先友商達(dá)到了3年!那么,小伙伴們又如何看待此事呢?

標(biāo)簽 Intel

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