中國西安將是三星64層堆棧3D閃存的主產(chǎn)地

　　據(jù)悉，有消息報道稱，三星年底量產(chǎn)64層堆棧3D閃存的主產(chǎn)地在中國西安。從幾天前三星的財報數(shù)據(jù)當(dāng)中可以看出，雖然，三星Q3季度的營收有所下滑，但是盈利卻有增長。而這主要歸功于三星半導(dǎo)體，內(nèi)存、閃存的漲價讓三星賺了不少。

　　在前幾天發(fā)布的初期財報數(shù)據(jù)中，三星Q3季度雖然面臨營收下滑5%的困境，但盈利同比增長6%，這次移動部門是沒啥指望了，讓三星大賺特賺的是半導(dǎo)體，不斷漲價的內(nèi)存、閃存就是大功臣。今年智能手機內(nèi)存、閃存容量不斷增加，導(dǎo)致市場供應(yīng)吃緊進而漲價，三星也瞅準了機會在年底量產(chǎn)第四代V-NAND閃存，64層堆棧，屆時韓國的華城、中國的西安工廠都將是主產(chǎn)地。

　　中國西安的三星工廠也將是未來64層堆棧3D閃存的主產(chǎn)地

　　在3D閃存方面，三星的V-NAND閃存量產(chǎn)時間最早，領(lǐng)先SK Hynix、東芝、美光、Intel至少兩年時間，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到了第三代，堆棧層數(shù)48層，而美光、Intel、SK Hynix等公司的3D閃存不過24、36層堆棧，東芝閃迪系的BiCS閃存起點很高，直接上48層堆棧，但量產(chǎn)時間要等到明年。

　　今年8月份三星就曝光了64層堆棧的V-NAND閃存了，TLC類型，核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。

　　根據(jù)三星最新的規(guī)劃，64層V-NAND閃存預(yù)計會在今年底量產(chǎn)，韓國京畿道聲的華城市工廠已經(jīng)開始準備生產(chǎn)了。此外，三星在中國西安的晶圓廠也會量產(chǎn)64層V-NAND閃存，去年發(fā)布950 Pro時三星就提到西安工廠是最早量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的工廠，這次64層堆棧閃存量產(chǎn)計劃中，西安工廠也會是主產(chǎn)地之一。

　　三星還在韓國平澤市建設(shè)新的工廠，今年12月份將完成主體建筑施工，最快明年4月份就能生產(chǎn)，這比預(yù)期的時間提前了三個月。

　　三星64層堆棧3D閃存對三星來說是不可或缺的技術(shù)支柱。在今年的一些風(fēng)波過后，三星并沒有受到太大的影響，而是繼續(xù)發(fā)揮所長，不斷的向前。由此可見，三星的實力不一般。