臺積電已推出增強(qiáng)版7nm/5nm制程工藝

　　7月31日消息 行業(yè)領(lǐng)先的制程工藝，一直是臺積電（TSMC）在芯片代工領(lǐng)域中保持競爭力的“法寶”之一！而據(jù)最新消息顯示，臺積電已經(jīng)悄然推出了7nm深紫外DUV（N7）制程工藝和5nm極紫外EUV（N5）制造工藝的性能增強(qiáng)版本。

　　報(bào)道稱，臺積電的N7P和N5P技術(shù)是專為需要7nm設(shè)計(jì)運(yùn)行更快或消耗電量更少的客戶設(shè)計(jì)。

　　據(jù)悉，臺積電全新N7P工藝采用與N7相同的設(shè)計(jì)規(guī)則，優(yōu)化了前端（FEOL）和中端（MOL），可在相同功率下將性能提升7％，或者在相同的頻率下降低10％的功耗。

　　據(jù)了解，臺積電最早于今年在日本舉辦的VLSI研討會上透露相關(guān)信息，但并沒有廣泛宣傳；N7P采用經(jīng)過驗(yàn)證的深紫外（DUV）光刻技術(shù)，與N7相比，沒有改變晶體管密度。

　　而需要晶體管密度高出約18%至20％的TSMC客戶，預(yù)計(jì)將使用N7+N6工藝技術(shù)，其中N6工藝技術(shù)通過極紫外（EUV）光刻技術(shù)進(jìn)行多層處理。

　　另外，臺積電下一個(gè)具有顯著密度、改進(jìn)功耗和性能的主要節(jié)點(diǎn)是N5（5nm），并將提供一個(gè)名為N5P的性能增強(qiáng)版本，該技術(shù)采用FEOL和MOL優(yōu)化功能，以便在相同功率下使芯片的運(yùn)行速度提高7％，或在相同頻率下將功耗降低15％！那么，各位小伙伴又如何看待此事呢？