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英特爾中國實力科普4G+8G內(nèi)存能否構(gòu)成雙通道

編輯：jiayuan 2019-07-22 09:33:16 來源于：IT之家

　　7月22日消息針對網(wǎng)友關(guān)于“插2條內(nèi)存后電腦還是很慢”的提問，英特爾中國官微此前曾作出回應稱“在構(gòu)建雙通道時2條內(nèi)存插的位置中間需要空一槽，且雙通道內(nèi)存的頻率是跟著低的那條走的！”而據(jù)最新消息顯示，英特爾中國不久前又科普起了“4G+8G內(nèi)存能否構(gòu)成雙通道”。

　　據(jù)了解，雙通道就是在北橋（又稱之為MCH）芯片級里設計兩個內(nèi)存控制器，這兩個內(nèi)存控制器可相互獨立工作，每個控制器控制一個內(nèi)存通道，在這兩個內(nèi)存通CPU可分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，從而使內(nèi)存的帶寬增加一倍，數(shù)據(jù)存取速度也相應增加一倍（理論上）。

　　按照英特爾方面的說法，4G+8G內(nèi)存是可以構(gòu)成雙通道的，其原理為4G和“8G中的4G”構(gòu)成雙通道，而“8G中另外的4G”還是當單通道使用，即兩條不同內(nèi)存會以較小內(nèi)存為準構(gòu)成雙通道，較大內(nèi)存其余部分還是單通道！另外，英偉達方面也曾表示，單雙通道內(nèi)存會對RTX顯卡性能產(chǎn)生比較明顯的影響，相比單通道，雙通道內(nèi)存能夠明顯提升游戲幀數(shù)。