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Intel承諾2021年推7nm芯片

編輯:jiayuan 2019-05-09 11:52:39 來源于:IT之家

  5月9日消息 日前有外媒報(bào)道稱,Intel首席執(zhí)行官鮑勃·斯旺(Bob Swan)和總裁穆爾西·蘭德奇塔拉(Murthy Renduchintala)在美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間8日召開的投資者日上談及了Intel的芯片開發(fā)路線圖,并承諾將在2021年推7nm芯片產(chǎn)品。

Intel承諾2021年推7nm芯片

  眾所周知,Intel歷來在執(zhí)行其工藝技術(shù)方面能力超強(qiáng),但其推出10nm制程工藝數(shù)次延遲顯然引發(fā)了許多質(zhì)疑,而且這種情況已經(jīng)持續(xù)了數(shù)年。

  而這兩位高管在投資者日上介紹了Intel在此期間所做的事情,以及其從這些事件中吸取了哪些教訓(xùn)。

  早在2013年,Intel就設(shè)想通過提供2.7倍密度的自對準(zhǔn)四軸圖形(SAQP)、有源柵極上接觸(COAG)、Cobolt互連以及EMIB和Foveros等新封裝技術(shù),利用10nm芯片取代14nm芯片。

  Intel承認(rèn),這是個(gè)雄心勃勃的計(jì)劃,但由于該公司沒有與相關(guān)團(tuán)隊(duì)明確界定目標(biāo),導(dǎo)致該計(jì)劃最終變得過于復(fù)雜,且沒有以理想的方式加以管理。

Intel承諾2021年推7nm芯片

  這最終致使10nm工藝的推出被延遲。在這種情況下,Intel將10nm制程工藝推持到2019年,并以14+和14++填補(bǔ)了空白。

  自該計(jì)劃實(shí)施以來,Intel的14+和14++工藝已經(jīng)獲得了超過20%的性能提升,因此Intel不僅為將來的節(jié)點(diǎn)內(nèi)優(yōu)化做好了準(zhǔn)備,而且實(shí)際上還調(diào)整了路線圖來完善它。

Intel承諾2021年推7nm芯片

  蘭德奇塔拉明確表示,Intel希望在新工藝開始時(shí)引入類似摩爾定律式的增益,并在該工藝結(jié)束時(shí)引入另一種類似的增益。

  Intel表示,其10nm產(chǎn)品系列將從今年年中開始上市,客戶端平臺(筆記本電腦)將配置Ice Lake。

Intel承諾2021年推7nm芯片

  Intel將在2019年和2020年推出多種10nm產(chǎn)品,包括在2020年上半年推出基于10nm的服務(wù)器。

  此外,Intel表示將在2021年生產(chǎn)并推出一款7nm產(chǎn)品。

Intel承諾2021年推7nm芯片

  對于一家開發(fā)10nm工藝都存在問題的公司來說,這個(gè)時(shí)間表聽起來顯得十分激進(jìn)。在Intel路線圖中,10nm(以及10+和10++)的生命周期比14nm系列短得多。

  考慮到這一點(diǎn),Intel的7nm產(chǎn)品將成為該公司從14nm和10nm系列產(chǎn)品中吸取教訓(xùn)的結(jié)合體。Intel希望實(shí)現(xiàn)2倍擴(kuò)展(摩爾定律),但是計(jì)劃將節(jié)點(diǎn)內(nèi)優(yōu)化作為路線圖的一部分。

Intel承諾2021年推7nm芯片

  Intel也在減少其設(shè)計(jì)規(guī)則的數(shù)量,這應(yīng)該有助于執(zhí)行新的路線圖計(jì)劃。7nm也將是Intel與EUV交叉的領(lǐng)域,并將引入下一代Foveros和EMIB封裝技術(shù)。

Intel承諾2021年推7nm芯片

  另外,Intel還展示了以個(gè)人電腦為中心的單片芯片和基于Foveros和EMIB的多模數(shù)據(jù)中心芯片。Intel芯片和封裝團(tuán)隊(duì)表示,我們將看到Foveros和EMIB出現(xiàn)在新產(chǎn)品上,特別是GPU。

Intel承諾2021年推7nm芯片

  同時(shí),Intel宣布其領(lǐng)先的7nm產(chǎn)品將是基于Xe圖形架構(gòu)的新GPGPU。按照Intel官方的說法,其Xe產(chǎn)品將有兩個(gè)不同的微體系結(jié)構(gòu)(從移動端GPGPU),其中一個(gè)架構(gòu)稱為北極聲音(Arctic Sound)!另外,Intel方面還預(yù)測,其將在2020年發(fā)布首個(gè)分離式GPU技術(shù),而7nm GPGPU則要等到2021年。

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